氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。

氮化镓相比传统硅基半导体，有着更加出色的击穿能力，更高的电子密度和电子迁移率，还有更高的工作温度。能够带来低损耗和高开关频率：低损耗可降低导阻带来的发热，高开关频率可减小变压器和电容的体积，有助于减小充电器的体积和重量。同时GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升频率，降低驱动损耗。

尤其是相较于硅 MOSFET，氮化镓材料具备更高的临界电场、独有且出色的动态导通电阻、更低的电容，使其尤为适用于功率半导体器件，让 GaN HEMT 成为高速开关的理想之选。氮化镓晶体管可以在缩短死区时间的情况下工作，从而提高效率，并实现被动冷却。在高开关频率下工作可以缩小被动器件的体积，从而提高了 GaN HEMT 的可靠性和整体功率密度。