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6月23日上午,氮矽科技总经理罗鹏博士和运营总监陈伟军先生受邀参加位于长沙高新产业园区的湖南三安半导体点亮仪式。

湖南三安半导体总投资160亿元,规划用地面积约1000亩。点亮仪式上,三安光电股份有限公司副董事长、总经理林科闯在致辞中表示,湖南三安半导体的业务涵盖衬底材料、外延生长、晶圆制造及封装测试等环节,能为客户提供高品质准时交付的同时,兼具大规模生产的成本优势。

湖南省委副书记、省长毛伟明对湖南三安半导体的正式投产表示祝贺,并表示,湖南三安半导体的落户及投产,为长沙注入强“芯”剂,将进一步加快长沙集成电路和电子信息产业的聚集与发展。据悉,湖南三安半导体预计将实现年销售收入120亿元,年贡献税收17亿元,提供数千个就业岗位,并带动周边配套产业近万就业。

第三代半导体材料具有优越的电气性能,可以满足电力电子技术对高温、高功率、高压、高频的新要求。更可以有效提高功率器件的电源变换效率,降低损耗。其中氮化镓功率器件更以其优越的高频工作特性和低阻抗、高效率的特点近两年在消费市场中大受好评,根据TrendForce 集邦咨询近日发布的GaN 氮化镓市场预计GaN 氮化镓功率器件市场规模将达到 6100 万美元,年增长率达到 90.6%。

氮矽科技作为三安半导体在氮化镓功率器件代工业务上重要的合作伙伴之一,自成立伊始就专注于氮化镓功率器件与氮化镓驱动IC的设计研发。选择三安作为氮化镓功率器件代工的重要合作伙伴后,在氮化镓功率器件的设计研发和生产上携手砥砺前行,实现氮化镓功率器件的全产业链自主完成。

在迈向碳中和的道路上,人们需要更加高效地储存和使用清洁能源。氮化镓以其优异的高频率、低导通电阻等特性,帮助电源变换系统实现优异的功率密度和卓越的系统效率,使其未来必将在新能源汽车、光伏发电等场景中发挥关键作用。三安与氮矽在此愿景中预见了良好的机会,并为此做了充足的准备,愿与志同道合的伙伴们一同点亮中国第三代半导体广阔前景。

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