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    DX1001

DX1001

用于增强模式GaN FET的5V单通道高速低侧栅极驱动器

描述:

DX1001是一款针对增强型GaN FET而进行优化的单通道、高速栅极驱动器,它能够以足够快的速度对氮化镓晶体管栅极上的电容进行充放电,同时不会引起振铃和过充。DX1001采用独立拉灌设计可以提供超强的非对称轨到轨峰值电流驱动能力,凭借分离输出配置,可根据FET优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并有效限制了振铃。此外,具有最小容差和变化的短传播延迟可以实现高频时的有效运行。

出于安全方面的考虑,当输入引脚处于悬空状态时,内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VDD引脚上的内部电路具有欠压锁定功能,可在VDD电源电压处于工作电压范围之前将输出保持在低电平有效的防止了可能的误开启。

DX1001-A采用了具有外部散热焊盘的小型3.00mm x 3.00mm DFN-8封装,提升了封装功率处理能力。DX1001-A运行在-40°C至140°C的宽温度范围内。

DX1001-B采用了SOT23-6封装保证性能的同时更照顾到部分厂家的产线作业需求。

特性:

  • 增强型氮化镓场效应晶体管(e-mode GaN FET)

  • 5V的驱动电压

  • 分离输出配置

  • 超小传播延迟(典型值为6.3ns)

  • 快速上升和下降时间(典型值为5.2ns和3.3ns)

  • 双输入设计实现了灵活驱动(反相配置和同相配置均支持)

  • 当输入悬空时输出保持在低电平

  • VDD欠压锁定(UVLO)

  • 采用与e-mode GaN FET兼容的优化引脚分布,方便进行布局布线

  • 具有外露散热焊盘的3.00mm x 3.00mm的小外形尺寸的DFN-8封装

  • 工作温度范围:-40°C - 140°C


产品支持文档:

  • 设计注释
  • 数据表
  • 仿真模型
  • 封装图纸
  • 应用注释
  • 评估板


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