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    单管650V GaN FET DX65H015x120

单管650V GaN FET DX65H015x120


描述:
DXE65H015x120是增强型硅基氮化镓晶体管。氮化镓属于宽禁带半导体,功率密度高。氮化镓晶体管的特点是无体二极管,反向恢复电荷为零。DXE65H015x120采用TO252,DFN5X6,PDDFN4X4和DFN8X8多种封装,适用于各种场景高功率的应用电路。结合以上特点DXE65H015x120特别适用于高效的电源开关。

特征
650V增强型电开关

RDS(on) =120mΩ
IDS(max) = 15A
单极正电压门极驱动(0V到6 V)
开关速度快(>10 MHz)
上升和下降时间快速且可控
零反向恢复损耗

应用
LED驱动
功率因数校正
LLC转换器
无线充电

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