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- 选择氮化镓(GaN)的原因 -

氮化镓(GaN)属于第三代半导体,又被称为宽禁带半导体,和第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等前辈相比,其在特性上有突出的优势:由于禁带宽度大、导热率高,氮化镓器件可在200°C以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;较大的禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利与提升器件整体的能效;电子饱和速度快,以及较高的载流子迁移率,可让器件高速地工作。

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氮化镓(GaN)属于第三代半导体,又被称为宽禁带半导体,和第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等前辈相比,其在特性上有突出的优势:由于禁带宽度大、导热率高,氮化镓器件可在200°C以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;较大的禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利与提升器件整体的能效;电子饱和速度快,以及较高的载流子迁移率,可让器件高速地工作。

- 关于我们 -

成都氮矽科技有限公司(以下简称氮矽科技)成立于2019年,位于成都市高新区。氮矽科技拥有来自成都矽能科技和核心技术合作伙伴“电子科技大学功率集成技术实验室”的全力支持,旨在实现中国第三代半导体氮化镓(GaN)在电力电子领域的高速发展。 氮矽科技拥有一个完全由海归组成的研发团队,将以最佳的研发效率,完成最具国际竞争力的产品。

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成都氮矽科技有限公司(以下简称氮矽科技)成立于2019年,位于成都市高新区。氮矽科技拥有来自成都矽能科技和核心技术合作伙伴“电子科技大学功率集成技术实验室”的全力支持,旨在实现中国第三代半导体氮化镓(GaN)在电力电子领域的高速发展。 氮矽科技拥有一个完全由海归组成的研发团队,将以最佳的研发效率,完成最具国际竞争力的产品。

- 技术支持 -

公司认为客户、供应商、公司股东、公司员工等一切和自身有合作关系的单位和个人都是自己的合作伙伴,并只有通过努力为合作伙伴创造价值,才能体现自身的价值并获得发展和成功。

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Telephone:成都总公司:028-86036261 深圳办事处:0755-23007234

Mobile phone:成都总公司:028-86036261 深圳办事处:0755-23007234

Mail box:成都总公司:xm.qiu@danxitech.com /深圳办事处:lj.wu@danxitech.com

Company:成都氮矽科技有限公司

Address:成都总公司:成都市高新区蜀都中心一期1号楼3502 /深圳办事处:福永街道福州大道12号福永智荟园a2栋313a