活动回顾||氮矽科技应邀参加2023年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛
[ 来源:  时间:2023-07-25  阅读:1191次 ]
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2023年7月19日-7月21日,“第十七届半导体行业协会半导体分立器件年会&2023年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛”在浙江杭州萧山区隆重举办。此次活动是全国半导体功率器件的一次重要学术技术交流活动,成都氮矽科技有限公司(下称:氮矽科技)受邀出席了本次活动,与行业大咖一齐探讨分立器件的技术瓶颈及其未来发展战略方向。


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活动现场



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(氮矽科技 GaN HEMT器件设计总监 朱仁强 博士)


7月21日,氮矽科技成都氮矽科技有限公司GaN HEMT器件设计总监朱仁强博士应组委会特邀,在会议上发表了《氮化镓功率器件研究进展与应用》的主题报告,报告中详细介绍了氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表,其材料优势、器件结构、应用场景、市场趋势并着重介绍了氮矽科技进军工业市场的PIIP™ GaN系列产品。


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站在“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”战略的黄金赛道上,氮化镓已然成为市场的新宠儿,越来越多的工业及汽车领域的制造商选择与GaN器件供应商合作,氮化镓初步切入工业领域。而新的市场需求带来的是风险也是机遇,为此氮矽科技推出PIIP™ GaN,与传统分离方案相比减少了电源芯片外围器件数量,提升了功率密度和效率,降低了设计成本,极大的提高了氮化镓的可靠性


PIIP™ GaN系列产品覆盖了不同功率以及不同封装,用户可以根据自身需求选择更适合自己PIIP™ GaN产品。

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