氮化镓单片集成器件

随着市场快充适配器功率密度的不断追求,适配器的开关频率逐渐提升,以缩小内部元件体积。传统的Si MOS器件开关损耗与驱动损耗已经明显拉低了适配器的转换效率,器件限制不能继续提高工作效率,限制了磁性元件的缩小,不能进一步提升适配器的功率密度。

与传统分离GaN驱动产品相比,All GaN驱动产品将GaN FET与驱动器集成在同一芯片上,在封装与制造都达成便利的同时,还拥有着高效率,稳定性强,布局灵活等优点。由于FET的栅极直接连接到栅极驱动器的输出,因此驱动器输出和栅极输入之间的阻抗为0,保证流向栅极的电压可控,对栅极有保护作用。

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