喜报||氮矽科技荣获“化合物半导体价值之星”称号
[ 来源:  时间:2023-12-05  阅读:672次 ]

2023年11月30日,第九届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第二十届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于厦门国际会议中心落下帷幕。氮矽科技受邀参加“氮化镓功率电子器件技术分论坛“,并荣获“化合物半导体价值之星“称号。

01

氮化镓功率电子器件技术分论坛

此次论坛,成都氮矽科技有限公司GaN HEMT器件设计总监朱仁强博士受邀参加氮化镓功率电子器件技术分论坛,并发表了增强型功率氮化镓器件结构设计进展主题分享,以清晰、生动的语言,详细介绍了氮化镓功率器件的结构设计方面的最新进展,以及这种新技术在电力电子、通信、显示等领域的广泛应用前景。

在演讲中,朱仁强博士还详细介绍了氮矽科技的两款杰出产品:一款是国际首款TO-247-4集成驱动氮化镓功率器件“DXC3065S2TB”;另一款则是宽供电高频 QR 集成 GAN 的功率开关“DXP8001FA”这两款产品的独特性能和先进技术,无疑将为相关领域的发展带来重要的推动作用。


02
化合物半导体价值之星

28日,《中国半导体企业创新榜2023》榜单在论坛上隆重发布,氮矽科技荣获“化合物半导体价值之星”称号

此次荣获殊荣,不仅是对氮矽科技市场布局和战略规划的高度肯定,更是对我们优秀的产品品质和高效服务的极大鼓舞。我们将继续坚持“卓越创新·绿色高效”的质量方针,竭诚为客户提供更优质的服务,为实现双碳目标贡献自己的力量。


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